الخميس، 25 ديسمبر 2025

تحوّل مفصلي في صناعة أشباه الموصلات: الصين تكسر احتكار EUV وتربك تحالف «Chip 4»


تحوّل مفصلي في صناعة أشباه الموصلات: الصين تكسر احتكار EUV وتربك تحالف «Chip 4»

تحوّل مفصلي في صناعة أشباه الموصلات: الصين تكسر احتكار EUV وتربك تحالف «Chip 4»

صين تقترب من كسر احتكار EUV , يشهد قطاع أشباه الموصلات لحظة مفصلية مع تقارير عن نجاح الصين في تطوير نموذج أولي لآلة الطباعة الضوئية بالأشعة فوق البنفسجية الشديدة (EUV)، وهي التقنية التي شكّلت لعقدين “عنق الزجاجة” في إنتاج الشرائح المتقدمة دون 7 نانومتر، واحتكرتها شركة ASML الهولندية بدعم من قيود تصدير غربية صارمة.


أهمية هذا التطور لا تكمن في الإنتاج التجاري الفوري، بل في إثبات الإمكان الفيزيائي لتوليد ضوء EUV داخل مختبر صيني عالي التأمين و فمجرد الوصول إلى “الضوء الأول” يعني أن بكين وجدت مساراً التفافياً على استراتيجية “السياج العالي” التي اعتمدتها واشنطن وحلفاؤها لكبح تقدمها التقني.


تحالف “Chip 4” (الولايات المتحدة، اليابان، كوريا الجنوبية، تايوان) يجد نفسه أمام تحدٍ جديد. فبدلاً من الاكتفاء بتنسيق ضوابط التصدير وحماية الملكية الفكرية، قد يُجبر على إعادة تعريف استراتيجيته بالكامل إذا ما اقتربت الصين من تحويل النموذج إلى إنتاج صناعي خلال أفق 2028–2030.


تقنياً، لا تزال العقبات هائلة، خاصة في المرايا البصرية فائقة الدقة التي تمثل قلب منظومة EUV، لكن عبور الصين عتبة توليد الضوء يقلّص المسافة الزمنية ويزيد الضغوط الجيوسياسية لتوسيع القيود لتشمل حتى تقنيات DUV المتقدمة.


في الأثناء، تواصل الصين التعويض عبر حلول “DUV + تعدد التعريضات”، كما فعلت SMIC مع شرائح 7 نانومتر، ورهان “الكم على النوع” في الذكاء الاصطناعي والأجهزة الاستهلاكية، ما يبقي المنافسة محتدمة رغم فجوة الأداء مع 3 و5 نانومتر لدى تايوان وكوريا.


إذا نجحت بكين في كسر احتكار EUV عملياً، سنكون أمام بداية “ستار سيليكوني” يفصل بين منظومتين تقنيتين متوازيتين، ويتحول فيه الصراع من حراسة التقنية إلى سباق معايير وقدرات ونظم—مرحلة جديدة تعيد رسم خريطة صناعة الرقائق العالمية.

ليست هناك تعليقات:

إرسال تعليق